Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1998-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт Министерства науки--- Академии наук Республики Казахстан, 480082 Алматы, Казахстан ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Обнаружение низкотемпературной диффузии примесных атомов алюминия вимплантированном водородном кремнии

Горелкинский Ю.В., Мукашев Б.Н., Абдуллин Х.А.

Горелкинский Ю.В., Мукашев Б.Н., Абдуллин Х.А. Обнаружение низкотемпературной диффузии примесных атомов алюминия вимплантированном водородном кремнии // ФТП, 1998, том 32, выпуск 4, Стр. 421

Аннотация Методом ЭПР изучены образцы монокристаллического кремния, легированного примесью алюминия и импланированного атомами водорода при температуре ~80 K. Обнаружены два новых ЭПР спектра, обозначенные как Si-AA15 и Si-AA16. Сверхтонкая структура спектров однозначно показывает, что в состав дефектов AA15 и АА16 вовлечены два и один атом алюминия соответственно. Формирование пар Al--Al (дефект AA15) свидетельствует о сильной миграции примесных атомов алюминия. Миграция, происходящая в эксперименте при T=<200 K, не может быть нормальной или инжекционно-ускоренной диффузией. Обсуждаются возможные модели примесных межузельных пар Al--Al и механизм водородно-ускоренной миграции.