Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1998-00-00 ОрганизацияСанкт-Петербургский государственный технический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Электрические и фотоэлектрические свойства анизотипных гетеропереходов n-GaxIn1-xN/p-Si

Александров С.Е., Зыков В.А., Гаврикова Т.А., Красовицкий Д.М.

Александров С.Е., Зыков В.А., Гаврикова Т.А., Красовицкий Д.М. Электрические и фотоэлектрические свойства анизотипных гетеропереходов n-GaxIn1-xN/p-Si // ФТП, 1998, том 32, выпуск 4, Стр. 461

Аннотация Разработана технология формирования гетероструктур n-GaxIn1-xN/p-Si, основанная на совместном пиролизе моноаммиакатов хлоридов галлия и индия, позволяющая получать гетерослои с составом, варьируемым в широких пределах (отGaN доInN). Определены состав и основные электрические и оптические характеристики нитридных пленок. Исследованы электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур с пленками GaxIn1-xN различного состава. Показано, что анизотипный гетеропереход n-GaxIn1-xN/p-Si является перспективным фоточувствительным элементом для детектирования излучения в видимой части спектрального диапазона. Максимальные значения удельной обнаружительной способности составили D*=1.2· 1011 Гц1/2·Вт-1см при 290 K. Построена зонная диаграмма гетероперехода.