Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1998-00-00 ОрганизацияОбъединенный институт ядерных исследований, 141980 Дубна, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Гетеропереход на полупроводниках сцепочечной структурой TlSe--TlInSe2

Алексеев И.В.

Алексеев И.В. Гетеропереход на полупроводниках сцепочечной структурой TlSe--TlInSe2 // ФТП, 1998, том 32, выпуск 5, Стр. 588

Аннотация Получен гетеропереход на основе полупроводников с цепочечной кристаллической структурой p-TlSe--p-TlInSe2. Для получения использован метод жидкофазной эпитаксии из расплава TlSe на поверхности естественного скола (110) кристалла TlInSe2. Полученная структура обладаает чувствительностью к свету и жесткой радиации. Исследованы некоторые фотоэлектрические свойства гетеропереходов.