Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1998-00-00 ОрганизацияИнститут физики полупроводников Национальной академии наук Украины, 252650 Киев, Украина ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Одномерные структуры, образованные низкотемпературным скольжением дислокаций--- источники дислокационного поглощения иизлучения вполупроводниковых кристаллах A IIB VI

Тарбаев Н.И., Шепельский Г.А.

Тарбаев Н.И., Шепельский Г.А. Одномерные структуры, образованные низкотемпературным скольжением дислокаций--- источники дислокационного поглощения иизлучения вполупроводниковых кристаллах A IIB VI // ФТП, 1998, том 32, выпуск 6, Стр. 646

Аннотация Приведены и проанализированы результаты измерений характерных узких линий оптического поглощения и излучения, вызванных низкотемпературным (при температурах T=1.8/ 77 K) скольжением дислокаций в кристаллах сульфида кадмия. Линии оптического поглощения характеризуются гигантскими силами осцилляторов (f~1). Предложена и обоснована модель, объясняющая всю совокупность экспериментальных результатов для сульфида кадмия и других соединений AIIBVI. В предложенной модели дислокационное оптическое поглощение и дислокационное излучение связываются с образованием одномерных цепочек ассоциаций точечных дефектов при скольжении винтовых дислокаций со ступеньками. Из данных эксперимента рассчитаны линейная плотность ступенек и объемная плотность точечных дефектов в цепочках, а также оценены силы осцилляторов соответствующих оптических переходов.