Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1998-00-00 ОрганизацияИнститут радиотехники и электроники Российской академии наук, 113907 Москва, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Оптические свойства легированных кремнием слоев GaAs(100), выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии

Мокеров В.Г., Федоров Ю.В., Гук А.В., Галиев Г.Б., Страхов В.А., Яременко Н.Г.

Мокеров В.Г., Федоров Ю.В., Гук А.В., Галиев Г.Б., Страхов В.А., Яременко Н.Г. Оптические свойства легированных кремнием слоев GaAs(100), выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии // ФТП, 1998, том 32, выпуск 9, Стр. 1060

Аннотация Исследованы спектры фотолюминесценции нелегированных и легированных кремнием слоев GaAs(100) при T=77 K. Выявлено, что наряду с B-полосой, соответствующей межзонной излучательной рекомбинации, в спектрах легированных слоев наблюдается так называемая Si-полоса, расположенная вблизи hnu~= 1.4 эВ, а в многослойных delta-легированных структурах в области hnu~= 1.47/ 1.48 эВ дополнительно появляется полоса, обозначенная здесь как delta-полоса. Изучены зависимости энергетического положения, интенсивности и формы полос фотолюминесценции от дозы легированияNSi, мощности лазерного возбуждения и температуры. Показано, что Si-полоса обусловлена оптическими переходами между зоной проводимости и глубоким акцепторным уровнем (~ 100 мэВ), связанным с атомамиSi в узлахAs. Установлено, что зависимости формы и интенсивности delta-полосы от температуры и мощности возбуждения фотолюминесценции оказались идентичными соответствующим зависимостям для B-полосы. Согласно предложенной интерпретации, проявления delta-полосы в спектрах фотолюминесценции связываются с эффектами размерного квантования в delta-легированных структурах.