Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1998-00-00 ОрганизацияИнститут физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, 630090 Новосибирск, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Определение скорости поверхностной рекомбинации вэпитаксиальных слоях n-CdxHg1-xTe из измерений планарного магнитосопротивления и времени релаксации неравновесных носителей заряда

Бородовский П.А., Булдыгин А.Ф., Варавин В.С.

Бородовский П.А., Булдыгин А.Ф., Варавин В.С. Определение скорости поверхностной рекомбинации вэпитаксиальных слоях n-CdxHg1-xTe из измерений планарного магнитосопротивления и времени релаксации неравновесных носителей заряда // ФТП, 1998, том 32, выпуск 9, Стр. 1076

Аннотация Измерены зависимости планарного магнитосопротивления от магнитного поля для эпитаксиальных слоев n-CdxHg1-xTe (x=0.211, 0.22) при температурах 300 и 77 K. При 77 K измерения проведены в электрическом поле ниже и выше пороговых полей для лавинной ударной ионизации. По результатам измерений планарного магнитосопротивления и времени релаксации неравновесных носителей заряда определены скорости поверхностной рекомбинации.