Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1998-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Халькогенидная пассивация поверхности полупроводников A IIIB V

Бессолов В.Н., Лебедев М.В.

Бессолов В.Н., Лебедев М.В. Халькогенидная пассивация поверхности полупроводников A IIIB V // ФТП, 1998, том 32, выпуск 11, Стр. 1281

Аннотация Проведен анализ работ, посвященных халькогенидной пассивации (атомами серы и селена) поверхности полупроводников AIIIBV. Рассмотрены особенности формирования химических связей, атомная структура и электронные свойства поверхности полупроводников AIIIBV, покрытых атомами халькогенидов. Обсуждаются успехи последних лет в применении халькогенидной пассивации в полупроводниковой технологии, а также тенденции и перспективы развития этого направления.