Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:
Опубликовать в блог:
Опубликовано 1998-00-00 ОрганизацияИнститут радиотехники и электроники Российской академии наук, 141120 Фрязино, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"


Макроскопические ионные ловушки на границе раздела кремний--окисел
Дмитриев С.Г., Маркин Ю.В.
Дмитриев С.Г., Маркин Ю.В. Макроскопические ионные ловушки на границе раздела кремний--окисел // ФТП, 1998, том 32, выпуск 12, Стр. 1439
Аннотация Кинетика дрейфа подвижного заряда в пленках SiO2, его захват на ионные ловушки, локализованные на границе раздела Si--SiO2, и эмиссия ионов из этих ловушек исследовались с помощью измерений вольтъемкостных, динамических вольт-амперных и токов термостимулированной деполяризации диэлектрика. Компоненты (пики) токов, связанных с эмиссией захваченных на границе раздела частиц при термополевых воздействиях, выделены в явном виде. Показано, что заряд поверхностных ионов в основном нейтрализован электронами Si, а полевая зависимость токов эмиссии ионов характеризуется аномальным эффектом Шоттки, связанным с раскрытием потенциала ионных ловушек внешним полем. Обсуждается связь этих ловушек с неоднородностями потенциала--- потенциальными ямами для подвижных частиц на рассматриваемой границе раздела. Отмечено, что подвижные ионы в диэлектрике могут быть использованы для диагностики неоднородностей потенциала границы раздела.

Комментарии

Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален