Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1999-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Длинноволновые фотодиоды на основе твердых растворов Ga1-xInxAsySb1-y c составом вблизи границы области несмешиваемости

Андреев И.А., Куницына Е.В., Михайлова М.П., Яковлев Ю.П.

Андреев И.А., Куницына Е.В., Михайлова М.П., Яковлев Ю.П. Длинноволновые фотодиоды на основе твердых растворов Ga1-xInxAsySb1-y c составом вблизи границы области несмешиваемости // ФТП, 1999, том 33, выпуск 2, Стр. 249

Аннотация Исследована возможность получения методом жидкофазной эпитаксии твердых растворов Ga1-xInxAsySb1-y, изопериодных GaSb, вблизи границы области несмешиваемости. Изучен эффект влияния кристаллографической ориентации подложки на состав выращиваемых твердых растворов, наблюдался рост концентрации индия от 0.215 до 0.238 в твердой фазе Ga1-xInxAsySb1-y в ряду (100), (111)A, (111)B ориентаций подложки. Изменение состава твердого раствора приводит к сдвигу длинноволнового края спектрального распределения фоточувствительности. Использование подложки GaSb (111)B позволило, не снижая температуры эпитаксии, увеличить содержание индия в твердой фазе до 23.8% и создать длинноволновые фотодиоды со спектральной границей чувствительности lambdath=2.55 мкм. Описаны особенности технологии и основные характеристики таких фотодиодов. Предложенный технологический метод может быть перспективен для создания оптоэлектронных приборов (лазеров, светодиодов, фотодиодов) на основе твердых растворов Ga1-xInxAsySb1-y с красной границей до 2.7 мкм.