Профиль » Публикация
Опубликовано
1999-00-00
ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"
Диффузия легирующих примесей из полимерных диффузантов иприменение этого метода в технологии полупроводниковых приборов
Гук Е.Г., Каманин А.В., Шмидт Н.М., Шуман В.Б., Юрре Т.А. Диффузия легирующих примесей из полимерных диффузантов иприменение этого метода в технологии полупроводниковых приборов // ФТП, 1999, том 33, выпуск 3, Стр. 257
Аннотация
Рассмотрены особенности нетрадиционного метода диффузии из полимерных диффузантов различных примесей в кремний и полупроводниковые соединения AIIIBV. Приведены результаты использования этого метода в технологии полупроводниковых приборов на кремнии и гетероструктурах AlGaAs/GaAs и InGaAs(P)/InP.
Комментарии
Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален