Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1999-00-00 ОрганизацияНаучно-исследовательский институт физики Санкт-Петербургского государственного университета, 198904 Петродворец, Россия * Физико-технический институт им А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Механизм глубокого легирования Fe эпитаксиальных GaAs / AlGaAs-гетероструктур

Герловин И.Я., Долгих Ю.К., Елисеев С.А., Ефимов Ю.П., Недокус И.А., Овсянкин В.В., Петров В.В., Бер Б.Я.

Герловин И.Я., Долгих Ю.К., Елисеев С.А., Ефимов Ю.П., Недокус И.А., Овсянкин В.В., Петров В.В., Бер Б.Я. Механизм глубокого легирования Fe эпитаксиальных GaAs / AlGaAs-гетероструктур // ФТП, 1999, том 33, выпуск 3, Стр. 302

Аннотация На установке молекулярно-пучковой эпитаксии ЭП-1302 выращены предельно легированные железом гетероструктуры, содержащие объемные слои GaAs и AlxGa1-xAs, а также GaAs / AlGaAs-сверхрешетки. Анализ измеренных методом масс-спектрометрии вторичных ионов профилей вхождения железа показал, что при росте на ориентированных в плоскости [100] подложках предельные концентрации железа для слоев GaAs, а также для GaAs / AlGaAs-сверхрешеток оказываются на 2 порядка меньшими, чем для тройного раствора AlGaAs. Обнаружено, что радикальное увеличение предельной концентрации Fe (вплоть до 5· 1018 см-3) в GaAs / AlGaAs-сверхрешетках может быть достигнуто при росте на подложках, вырезанных с 3o отклонением от плоскости [100]. Существенно, что при таких высоких уровнях легирования в спектрах низкотемпературного (10 K) поглощения и фотолюминесценции сверхрешеток сохраняются узкие экситонные линии. Проанализированы возможные механизмы селективного внедрения железа в GaAs / AlGaAs-гетероструктуры.