Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1999-00-00 ОрганизацияИнститут физики полупроводников Национальной академии наук Украины, 252650 Киев, Украина ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Фоточувствительные структуры на пористом кремнии

Каганович Э.Б., Манойлов Э.Г., Свечников С.В.

Каганович Э.Б., Манойлов Э.Г., Свечников С.В. Фоточувствительные структуры на пористом кремнии // ФТП, 1999, том 33, выпуск 3, Стр. 327

Аннотация Исследуются электрические и фотоэлектрические свойства двух типов сэндвич-структур Al/пористый кремний/монокристаллический кремний (c-Si)/Al с тонкими и толстыми слоями пористого кремния, полученными химическим окрашивающим травлением без приложения электрического поля. Установлено, что свойства структур с тонкими слоями пористого кремния определяются гетеропереходом пористый кремний c-Si. Его свойства объяснены в рамках энергетической зонной диаграммы изотипного гетероперехода с противоположными направлениями изгибов зон по обе стороны перехода, обусловленными проявлением локальных состояний на границе. Фоточувствительность структур с толстым слоем пористого кремния определяется фотопроводимостью пористого кремния. Максимум спектральной зависимости фотопроводимости слоев пористого кремния находится при 400--500 нм. Полученные результаты сравниваются с известными для структур на основе пористого кремния, полученного анодизацией.