Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:
Опубликовать в блог:
Опубликовано 1999-00-00 ОрганизацияИнститут физики полупроводников Национальной академии наук Украины, 252028 Киев, Украина ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"


Акустостимулированная активация связанных дефектов в твердых растворах CdHgTe
Власенко А.И., Олих Я.М., Савкина Р.К.
Власенко А.И., Олих Я.М., Савкина Р.К. Акустостимулированная активация связанных дефектов в твердых растворах CdHgTe // ФТП, 1999, том 33, выпуск 4, Стр. 410
Аннотация Представлены результаты акустодинамических исследований электрофизических параметров (эффективной концентрации электронов n=1/eRH и их холловской подвижности muH=RH/rho) для кристаллов n-CdxHg1-xTe (x~0.22). Показано, что ультразвуковое нагружение (интенсивностью до 0.5·104 Вт/м2) приводит к увеличению значений n и muH в области примесной проводимости (T~100 K). Наблюдаемые эффекты объясняются акустостимулированным освобождением (активацией) связанных дефектов донорного типа и соответствующим понижением рассеивающего потенциала на неоднородностях сплава. В рамках предложенной дислокационной модели оценены характерные параметры акустоэлектрического взаимодействия.

Комментарии

Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален