Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1999-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Об электрических и фотоэлектрических характеристиках изотипной гетероструктуры n-ZnO--n-Si

Слободчиков С.В., Салихов Х.М., Руссу Е.В.

Слободчиков С.В., Салихов Х.М., Руссу Е.В. Об электрических и фотоэлектрических характеристиках изотипной гетероструктуры n-ZnO--n-Si // ФТП, 1999, том 33, выпуск 4, Стр. 435

Аннотация Измерены вольт-амперные и вольт-емкостные характеристики, поперечный и продольный фотоэффект в изотипных гетероструктурах n-ZnO--n-Si, полученных методом осаждения из металлоорганических соединений. Определены некоторые параметры границы раздела, механизма токопереноса и фотоэлектрические характеристики гетероструктур, представляющие интерес для оценки практического использования.