Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1999-00-00 ОрганизацияУльяновский государственный университет, 432700 Ульяновск, Россия, * Мордовский государственный университет, 430000 Саранск, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Определение параметров глубоких уровней по релаксационной задержке пробоя p-n-перехода

Булярский С.В., Сережкин Ю.Н., Ионычев В.К.

Булярский С.В., Сережкин Ю.Н., Ионычев В.К. Определение параметров глубоких уровней по релаксационной задержке пробоя p-n-перехода // ФТП, 1999, том 33, выпуск 4, Стр. 494

Аннотация Исследуется методика определения параметров глубоких центров по релаксационной задержке лавинного пробоя p-n-перехода. Используемый метод не накладывает ограничений на соотношение концентраций глубоких центров и легирующих примесей и может быть использован в тех случаях, когда вольт-фарадная характеристика образца плохо контролируется, либо эквивалентная схема p-n-перехода является сложной. Это может быть вследствие сильно компенсированных базовых областей, наличия высокоомных слоев или несовершенных омических контактов. Возможности метода проиллюстрированы на примере определения параметров акцепторного уровня золота в p+-n-n+-структурах с высоким содержанием золота (NAu=0.9Nd).