Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2000-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Электролюминесценция светодиодов lambda =3.3/ 4.3 мкм наоснове твердых растворов InGaAs и InAsSbP винтервале температур 20/ 180o C

Айдаралиев М., Зотова Н.В., Карандашев С.А., Матвеев Б.А., Ременный М.А., Стусь Н.М., Талалакин Г.Н.

Айдаралиев М., Зотова Н.В., Карандашев С.А., Матвеев Б.А., Ременный М.А., Стусь Н.М., Талалакин Г.Н. Электролюминесценция светодиодов lambda =3.3/ 4.3 мкм наоснове твердых растворов InGaAs и InAsSbP винтервале температур 20/ 180o C // ФТП, 2000, том 34, выпуск 1, Стр. 102

Аннотация Исследованы СД lambdamax=3.4, 4.3 мкм (t=20oC) при повышенных температурах. Показано, что для описания их работы в интервале температур t=20/ 180oC применимы классические представления об инжекционных источниках излучения и процессах рекомбинации носителей заряда. Температурные зависимости обратных токов ВАХ в области насыщения соответствуют возрастанию собственной концентрации носителей заряда в теории Шокли. Спектры излучения описываются в предположении прямых переходов зона--зона, сферически симметричных зон и термализованных носителей заряда. W-I-характеристики пропорциональны I2/3, что говорит о доминирующей роли безызлучательной оже-рекомбинации. Мощность излучения экспоненциально падает с температурой, что характерно для CHSH- и CHCC-процессов.