Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2000-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия * Institut fur Festkorperphysik Technische Universitat Berlin, D-10623 Berlin, Germany ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Пространственно одномодовый лазер диапазона 1.25-1.28 мкм сквантовыми точками InAs на подложке GaAs

Михрин С.С., Жуков А.Е., Ковш А.Р., Малеев Н.А., Устинов В.М., Шерняков Ю.М., Каяндер И.Н., Кондратьева Е.Ю., Лившиц Д.А., Тарасов И.С., Максимов М.В., Цацульников А.Ф., Леденцов Н.Н., Копьев П.С., Бимберг Д., Алферов Ж.И. Пространственно одномодовый лазер диапазона 1.25-1.28 мкм сквантовыми точками InAs на подложке GaAs // ФТП, 2000, том 34, выпуск 1, Стр. 117

Аннотация Реализована пространственно одномодовая генерация в диапазоне длин волн 1.25--1.28 мкм в инжекционных лазерах на продложках GaAs. Максимальная выходная мощность при комнатной температуре составляет 110 мВт, дифференциальная эффективность 37%. Активная область лазера представляет собой массив самоорганизующихся квантовых точек InAs.