Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2000-00-00 ОрганизацияСанкт-Петербургский государственный технический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия *Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия &#36;Институт физики твердого тела и полупроводников Национа ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Фоточувствительность тонкопленочных структур наоснове твердых растворов (CuInSe2)x(2ZnSe)1-x

Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Бекимбетов Р.Н., Гременок В.Ф., Боднарь И.В., Русак Л.В.

Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Бекимбетов Р.Н., Гременок В.Ф., Боднарь И.В., Русак Л.В. Фоточувствительность тонкопленочных структур наоснове твердых растворов (CuInSe2)x(2ZnSe)1-x // ФТП, 2000, том 34, выпуск 5, Стр. 576

Аннотация -1 Методом импульсного лазерного испарения получены поликристаллические пленки (CuInSe2)x(2ZnSe)1-x (x=0-0.6) p-типа проводимости толщиной 0.6-1.0 мкм. Показано, что в данной системе в области составов x=0.7 происходит структурный переход халькопирит--сфалерит. На основе полученных пленок созданы фоточувствительные структуры нескольких типов: In/p-(CuInSe2)x(2ZnSe)1-x и InSe(GaSe)/(CuInSe2)x(2ZnSe)1-x. Исследованы спектральные зависимости квантовой эффективности фотопреобразования, анализируется фоточувствительность структур в зависимости от типа энергетического барьера и состава. Сделан вывод о возможности применения полученных структур в качестве широкополосных фотопреобразователей.