Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2000-00-00 ОрганизацияИнститут физики микроструктур Российской академии наук, 603600 Нижний Новгород, Россия * Научно-исследовательский физико-технический институт при Нижегородском государственном университете, 603600 Нижний Новгород, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Мелкие акцепторы в напряженных гетероструктурах Ge/Ge1-xSix с квантовыми ямами

Алешкин В.Я., Андреев Б.А., Гавриленко В.И., Ерофеева И.В., Козлов Д.В., Кузнецов О.А.

Алешкин В.Я., Андреев Б.А., Гавриленко В.И., Ерофеева И.В., Козлов Д.В., Кузнецов О.А. Мелкие акцепторы в напряженных гетероструктурах Ge/Ge1-xSix с квантовыми ямами // ФТП, 2000, том 34, выпуск 5, Стр. 582

Аннотация Теоретически исследована зависимость энергий локализованных состояний акцепторов в квантовых ямах (напряженных слоях Ge в гетероструктурах Ge/Ge1-xSix) от ширины квантовой ямы и от положения в ней. Проведен расчет спектра примесного поглощения в дальнем инфракрасном диапазоне. Сопоставление результатов расчета с наблюдаемыми спектрами фотопроводимости позволило оценить распределение акцепторов по квантовой яме, в частности сделать вывод о том, что акцепторы могут в значительной мере концентрироваться вблизи гетерограниц. Выполнен расчет спектра поглощения с учетом резонансных примесных состояний, позволивший объяснить наблюдаемые особенности в коротковолновой области спектра фотопроводимости переходами на резонансные энергетические уровни, "привязанные" к верхним подзонам размерного квантования.