Профиль » Публикация

Аннотация Исследовалась холловская подвижность носителей в кристаллах n-CdxHg1-xTe в условиях динамической ультразвуковой нагрузки (WUS=<104 Вт/м2, f=5/7 МГц). Обнаружено, что в поле ультразвуковой деформации происходит увеличение подвижности носителей в области примесной проводимости (T120 K) для всех исследованных образцов. Проведен анализ возможных механизмов ультразвукового влияния на muH с учетом рассеяния на оптических фононах, ионизированных примесях, сплавном потенциале и с учетом условий токопрохождения в кристалле. Показано, что в области примесной проводимости основной причиной акустостимулированного увеличения холловской подвижности носителей является сглаживание макроскопического внутрикристаллического потенциала, обусловленного неоднородностью исследованных кристаллов, а в области собственной проводимости уменьшение подвижности определяется увеличением интенсивности рассеяния на оптических фононах.