Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2000-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

О критической скорости роста напряжения при запуске сверхбыстрого фронта ударной ионизации в диодной структуре

Минарский А.М., Родин П.Б.

Минарский А.М., Родин П.Б. О критической скорости роста напряжения при запуске сверхбыстрого фронта ударной ионизации в диодной структуре // ФТП, 2000, том 34, выпуск 6, Стр. 692

Аннотация Дана оценка порогового значения скорости роста напряжения на обратно смещенной диодной структуре, необходимого для возбуждения в ней фронта ударной ионизации, распространяющегося с большей скоростью, чем насыщенные дрейфовые скорости носителей.