Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2000-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия *Санкт-Петербургский государственный технический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Фоточувствительность гетероконтактов a-Si : H / n-InSe

Николаев Ю.А., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Теруков Е.И.

Николаев Ю.А., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Теруков Е.И. Фоточувствительность гетероконтактов a-Si : H / n-InSe // ФТП, 2000, том 34, выпуск 6, Стр. 704

Аннотация Методом приведения в прямой оптический контакт поверхности осажденных на подложки из кварцевого стекла тонких пленок аморфного гидрированного кремния с поверхностью естественного скола InSe впервые получены выпрямляющие фоточувствительные структуры. Исследованы спектральные зависимости квантовой эффективности полученных гетероконтактов и установлены перспективы использования нового гетероперехода a-Si : H / n-InSe в фотопреобразователях солнечного излучения.