Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2000-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия *Санкт-Петербургский государственный технический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Поляризационная фоточувствительность гетеропереходов a-Si : H/c-Si

Николаев Ю.А., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Теруков Е.И.

Николаев Ю.А., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Теруков Е.И. Поляризационная фоточувствительность гетеропереходов a-Si : H/c-Si // ФТП, 2000, том 34, выпуск 7, Стр. 818

Аннотация Выполнены исследования фоточувствительности гетеропереходов, полученных осаждением тонких аморфных пленок на подложках кристаллического кремния. Обнаружена поляризационная фоточувствительность гетеропереходов, возникающая при наклонном падении линейно поляризованного излучения на их приемную плоскость. Установлено, что наведенный фотоплеохроизм гетеропереходов возрастает с увеличением угла падения theta по квадратичному закону и при theta=80o достигает 60%. Сделан вывод о том, что полученные гетеропереходы могут найти применение в качестве широкополосных фотосенсоров линейно поляризованного излучения.