Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2000-00-00 ОрганизацияИнститут физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, 630090 Новосибирск, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Термодинамические и кинетические аспекты реконструкционных переходов на поверхности (001) GaAs

Галицын Ю.Г., Мансуров В.Г., Мощенко С.П., Торопов А.И.

Галицын Ю.Г., Мансуров В.Г., Мощенко С.П., Торопов А.И. Термодинамические и кинетические аспекты реконструкционных переходов на поверхности (001) GaAs // ФТП, 2000, том 34, выпуск 8, Стр. 978

Аннотация Проведен кинетический и термодинамический анализ реконструкционных переходов на поверхности (001) арсенида галлия. Показано, что переход от As-стабилизированной (2x 4)beta 2 до Ga-стабилизированной (2x 4)beta2 структуры в потоке As4 является неравновесным фазовым переходом и осуществляется в условиях достижения определенной стационарной концентрации адатомов мышьяка на поверхности. Переход является непрерывным и описывается трехпараметрической изотермой. Движущей силой адсорбат-индуцированного перехода является энергия стабилизации фазы (2x 4)beta2, возникающая при образовании димеров мышьяка из адатомов мышьяка. Проведена оценка этой энергии. Обсуждаются особенности фазовых переходов, происходящих в потоке As4 и в условиях десорбции пленки аморфного мышьяка.