Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2000-00-00 ОрганизацияГосударственный университет "Львивська политехника",79013, Львов, Украина *Санкт-Петербургский государственный технический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия +Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Са ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Создание и фотоэлектрические свойства структур окисел--CdTe

Ильчук Г.А., Иванов-Омский В.И., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Бекимбетов Р.Н., Украинец Н.А.

Ильчук Г.А., Иванов-Омский В.И., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Бекимбетов Р.Н., Украинец Н.А. Создание и фотоэлектрические свойства структур окисел--CdTe // ФТП, 2000, том 34, выпуск 9, Стр. 1099

Аннотация Предложен новый технологический процесс формирования энергетического барьера на кристаллах теллурида кадмия и получены выпрямляющие фоточувствительные анизотипные и изотипные структуры на его основе. Исследованы и обсуждаются фотоэлектрические свойства полученных структур в зависимости от геометрии их освещения естественным и линейно поляризованным излучением. Сделан вывод о возможности применения новой технологии для создания на основе теллурида кадмия фотопреобразовательных структур различного назначения.