Профиль » Публикация

Аннотация Исследованы особенности эпитаксиального осаждения из жидкой фазы твердых растворов InGaAsP, изопериодических с подложками GaAs(001), в области неустойчивости. Установлено, что на начальном этапе осаждения (в течение 1--2 с) растут тонкие (до 0.15 мкм) планарные слои однородных твердых растворов InGaAsP. Этому способствует большое переохлаждение расплава (на 10--15oC) и, следовательно, большие скорости роста. Далее рост замедляется, и начинается формирование естественной наногетероструктуры вследствие распада твердого раствора. Формирование наногетероструктуры, состоящей из доменов твердых растворов различного состава с разными постоянными решетками, сопровождается возникновением на поверхности образца волнистого рельефа, амплитуда которого увеличивается по мере роста слоя. Толщина слоев твердых растворов InGaAsP, содержащих наногетероструктуру, ограничена величиной 0.5 мкм при используемых технологических условиях.