Профиль » Публикация

Аннотация Структуры типа p+-n-n+ на базе пленок 6H-SiC, выращенных методом chemical vapor deposition на n+-подложке, облучались протонами с энергией8 МэВ и дозой 8· 1015 см-2. Для стабилизации материала применялся отжиг при T=450oC в течение10 мин. В итоге удельное сопротивление пленки составляло rho=5· 109 Ом · см. Воздействие протонов исследовалось методом alpha-спектрометрии. Регистрация alpha-частиц с энергией5.77 МэВ проводилась как при обратном, так и прямом напряжениях. Сопоставлялись результаты двух режимов регистрации: (1)при сквозном простреле структуры плотным треком и(2) для условий полного торможения частицы. Показано, что в случае(1) сигнал в режиме прямого смещения формируется по механизму "сквозного проводящего канала". Это позволяет определить величину произведения времени жизни электронов на их подвижность. Исследован стандартный для спектрометрии режим, когда пробег частицыR не превышает протяженности пленки. Отмечено, что уменьшениеR приводит к различному поведению сигнала для указанных выше смещений. Так, для прямого смещения сигнал уменьшается более резко и при больших значенияхR.