Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2001-00-00 ОрганизацияСанкт-Петербургский государственный университет телекоммуникаций им.проф.М.А.Бонч-Бруевича, 191186 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Мощные высоковольтные биполярные транзисторы на основе сложных полупроводниковых структур

Волокобинский М.Ю., Комаров И.Н., Матюхина Т.В., Решетников В.И., Руш А.А., Фалина И.В., Ястребов А.С.

Волокобинский М.Ю., Комаров И.Н., Матюхина Т.В., Решетников В.И., Руш А.А., Фалина И.В., Ястребов А.С. Мощные высоковольтные биполярные транзисторы на основе сложных полупроводниковых структур // ФТП, 2001, том 35, выпуск 2, Стр. 245

Аннотация Исследованы физические процессы в транзисторах, в которые внесен новый конструктивный элемент--- решетка объемных неоднородностей в коллекторной области. Решетка приводит к уменьшению напряженности электрического поля у металлургической границы коллекторного p-n-перехода и препятствует развитию вторичного пробоя.