Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2001-00-00 ОрганизацияСанкт-Петербургский государственный технологический институт, 198013 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Гетероэпитаксия полупроводниковых соединений A IIB VI наохлажденной подложке

Беляев А.П., Рубец В.П.

Беляев А.П., Рубец В.П. Гетероэпитаксия полупроводниковых соединений A IIB VI наохлажденной подложке // ФТП, 2001, том 35, выпуск 3, Стр. 294

Аннотация Cообщается о результатах исследования процессов формирования высокоориентированных пленок на подложке, охлажденной до отрицательных по шкале Цельсия температур при конденсации в вакууме теллурида и сульфида кадмия. Приводятся данные технологических, электронографических и рентгенографических исследований. Построены диаграммы конценсации. Выявлены режимы, отличающиеся аномально низкой скоростью формирования пленок. Установлена корреляция между этими режимами и свойствами формирующейся структуры. Проводится сопоставление результатов с данными, полученными при исследовании процессов формирования высокоориентированных пленок золота в резко неравновесных условиях. Демонстрируется соответствие экспериментальных результатов солитонной модели гетероэпитаксии.