Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2001-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия *Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Анализ состава когерентных нановключений твердых растворов повысокоразрешающим электронно-микроскопическим изображениям

Сошников И.П., Горбенко О.М., Голубок А.О., Леденцов Н.Н.

Сошников И.П., Горбенко О.М., Голубок А.О., Леденцов Н.Н. Анализ состава когерентных нановключений твердых растворов повысокоразрешающим электронно-микроскопическим изображениям // ФТП, 2001, том 35, выпуск 3, Стр. 361

Аннотация Представлен программный комплекс, обеспечивающий возможности прямого и обратного быстрого Фурье преобразования изображений, фильтрации различными способами шумов и частотных окон, определения локальных межплоскостных расстояний по высокоразрешающим электронно-микроскопическим изображениям поперечных сечений. Алгоритм определения локальных межплоскостных расстояний включает получение отфильтрованного по соответствующей комбинации рефлексов высокоразрешающего изображения в результате двойного быстрого преобразования Фурье и последующее определение характерных локальных межплоскостных расстояний по полученному изображению. Отметим, что особенностью алгоритма определения межплоскостных расстояний является использование весового метода с коррекцией области интегрирования. Получаемые в результате обработки карты локальных межплоскостных расстояний могут быть использованы для определения химического состава: в твердых растворах замещения, например AxB1-x, AxB1-xC. Действие метода продемонстрировано на примере обработки высокоразрешающего электронно-микроскопического изображения гетероструктуры с субмонослойной решеткой InGaAs/GaAs.