Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2001-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Исследование глубоких ловушек наинтерфейсе SiO2/6H-SiC методом неравновесного эффекта поля

Иванов П.А., Самсонова Т.П., Пантелеев В.Н., Поляков Д.Ю.

Иванов П.А., Самсонова Т.П., Пантелеев В.Н., Поляков Д.Ю. Исследование глубоких ловушек наинтерфейсе SiO2/6H-SiC методом неравновесного эффекта поля // ФТП, 2001, том 35, выпуск 4, Стр. 482

Аннотация В 6H-SiC-МОП транзисторе обедненно-обогащенного типа обнаружен и исследован неравновесный эффект поля, обусловленный глубокими поверхностными состояниями на границе раздела SiO2/6H-SiC. Анализ релаксации проводимости канала транзистора (при повышенных температурах) после неравновесного заполнения поверхностных ловушек электронами показал, что эти ловушки распределены по энергиям в виде узкого гауссовского пика в верхней половине запрещенной зоны 6H-SiC: энергия в максимуме распределения EC-Etm=1.19 эВ, уширение пика Delta Et~ 85 мэВ, сечение захвата электронов sigman~ 10-14 см2. Как мы полагаем, данные состояния имеют фундаментальную природу и представляют собой "дефекты окисления" типа Pb- центров в системе SiO2--Si (оборванные кремниевые связи).