Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2001-00-00 ОрганизацияИнститут физики полупроводников Национальной академии наук Украины, 252028 Киев, Украина ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Влияние ростовых дислокаций наструктуру, фотолюминесценцию эпитаксиальных слоев i-n--n-n+-GaAs ипараметры сверхвысокочастотных полевых транзисторов наихоснове

Лисица М.П., Моцный Ф.В., Моцный В.Ф., Прокопенко И.В.

Лисица М.П., Моцный Ф.В., Моцный В.Ф., Прокопенко И.В. Влияние ростовых дислокаций наструктуру, фотолюминесценцию эпитаксиальных слоев i-n--n-n+-GaAs ипараметры сверхвысокочастотных полевых транзисторов наихоснове // ФТП, 2001, том 35, выпуск 4, Стр. 492

Аннотация Проведены электронно-микроскопические исследования структуры эпитаксиальных слоев i-n--n-n+-GaAs двух типов на подложках полуизолирующего арсенида галлия ориентации < 100>. Измерены низкотемпературные спектры фотолюминесценции и проанализированы их особенности. Показано, что образование ростовых дислокаций в таких структурах существенно влияет на спектры фотолюминесценции и ухудшает параметры сверхвысокочастотных полевых транзисторов на их основе.