Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2001-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия * Воронежский государственный университет, 394026 Воронеж, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Структурная сетка кремния впленках a-Si : H, содержащих упорядоченные включения

Голикова О.А., Богданова Е.В., Казанин М.М., Кузнецов А.Н., Терехов В.А., Кашкаров В.М., Остапенко О.В.

Голикова О.А., Богданова Е.В., Казанин М.М., Кузнецов А.Н., Терехов В.А., Кашкаров В.М., Остапенко О.В. Структурная сетка кремния впленках a-Si : H, содержащих упорядоченные включения // ФТП, 2001, том 35, выпуск 5, Стр. 600

Аннотация Методом разложения SiH4 в магнетронной камере (dc-MASD) были приготовлены пленки a-Si : H с включениями кластеров (SiH2)n или нанокристалловSi. Пленки имели величины микроструктурного параметра R=0.7-1.0. Методом ультрамягкой рентгеновской эмиссионной спектроскопии установлено влияние этих включений на возрастание степени упорядочения структурной сеткиSi. Показано, что независимо от природы включений влияние их максимально для пленок собственного материала, осажденных при высоких температурах (до400oC).