Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2001-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Электролюминесценция светодиодов наоснове твердых растворов InGaAs и InAsSbP (lambda =3.3-4.3 мкм) винтервале температур 20-180o C (продолжение*)

Айдаралиев М., Зотова Н.В., Карандашев С.А., Матвеев Б.А., Ременный М.А., Стусь Н.М., Талалакин Г.Н.

Айдаралиев М., Зотова Н.В., Карандашев С.А., Матвеев Б.А., Ременный М.А., Стусь Н.М., Талалакин Г.Н. Электролюминесценция светодиодов наоснове твердых растворов InGaAs и InAsSbP (lambda =3.3-4.3 мкм) винтервале температур 20-180o C (продолжение*) // ФТП, 2001, том 35, выпуск 5, Стр. 619

Аннотация Созданы и исследованы светодиоды на основе p-n-гомо- и гетероструктур с активными слоями из InAsSbP и InGaAs, мощностью излучения от 0.2 мВт (lambda=4.3 мкм) до 1.33 мВт (lambda=3.3 мкм) и коэффициентами преобразования от 30(InAsSbP, lambda=4.3 мкм) до 340 мВт/А·см2 (двойная гетероструктура InAsSb/InAsSbP, lambda=4.0 мкм). Сростом тока наблюдалось уменьшение коэффициента преобразования, связанное в основном с джулевым разогревом p-n-гомопереходов. Насыщение мощности при увеличении тока в светодиодах на основе двойных гетероструктур не было связано с нагревом активной области. При повышении температуры светодиодов (lambda=3.3, 4.3 мкм) от 20 до 180oC происходило падение мощности излучения в7 и 14 раз, достигая при 180oC значений 50(1.5 A) и7 мкВт(3 A) соответственно.