Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2001-00-00 ОрганизацияНаучно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета, 603600 Нижний Новгород, Россия * Институт физики микроструктур Российской академии наук, 603600 Нижний Новгород, Россия + Institute for Semiconductor and So ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Солегирование эрбием икислородом кремниевых слоев впроцессе молекулярно-лучевой эпитаксии

Шенгуров В.Г., Светлов С.П., Чалков В.Ю., Максимов Г.А., Красильник З.Ф., Андреев Б.А., Степихова М.В., Шенгуров Д.В., Palmetshofer L., Ellmer H.

Шенгуров В.Г., Светлов С.П., Чалков В.Ю., Максимов Г.А., Красильник З.Ф., Андреев Б.А., Степихова М.В., Шенгуров Д.В., Palmetshofer L., Ellmer H. Солегирование эрбием икислородом кремниевых слоев впроцессе молекулярно-лучевой эпитаксии // ФТП, 2001, том 35, выпуск 8, Стр. 954

Аннотация Эпитаксиальные слои кремния, солегированные эрбием и кислородом, были выращены методом молекулярно-лучевой эпитаксии с использованием сублимирующего кремниевого источника. Для выращивания легированных эрбием кремниевых слоев мы использовали два вида источников примеси: 1)пластины кремния, легированного эрбием, как источник потоков атомовEr иSi; 2)пластины металлического эрбия в качестве источника паров примеси в сочетании с сублимирующим кремниевым источником. При использовании газообразного кислорода для солегирования эрбием и кислородом in situ достигнуты концентрации в области от1018 до1020 см-3. Когда в камере роста находится кислород, то эффективность захвата эрбия слоем существенно возрастает. При окислении подавляется и поверхностная сегрегация эрбия.