Профиль » Публикация

Аннотация Разработана технология и изготовлены фотоприемные модули для спектральных диапазонов 3--5 и 8--12 мкм на основе гетероструктур Ga1-xCdxTe/GaAs и многослойных гетероструктур с квантовыми ямами GaAs/AlGaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Фоточувствительные слои Hg1-xCdxTe выращивали на подложках GaАs спромежуточным буферным слоем CdZnTe. Сцелью уменьшения влияния поверхности на рекомбинационные процессы выращивались варизонные слои Hg1-xCdxTe сповышенным составом кповерхности. Разработан и изготовлен по КМОП/ПЗС технологии кремниевый мультиплексор с кадровой частотой считывания изображения 50 Гц. Гибридная микросборка матричных фотоприемников и мультиплексора проводилась методом групповой холодной сварки на индиевых столбах с контролем процесса присоединения. Изготовленные модули на основе слоев Hg1-xCdxTe размером 128x 128 элементов при рабочей температуре 78 K и частоте кадров 50 Гц имели температурное расширение 0.02 и 0.032 K для модулей с границей чувствительности 6 и 8.7 мкм соответственно. Фоточувствительные многослойные структуры с квантовыми ямами GaAs/AlGaAs изготавливали методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Показано, что разработанная технология позволяет получать многоэлементные фотоприемники размером 128x128 элементов (lambdaпик~ 8 мкм) c температурным разрешением модуля 0.021 и0.06 K при рабочей температуре54 и65 K соответственно.