Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2001-00-00 ОрганизацияИнститут высокопроизводительных вычислений и баз данных, 198005 Санкт-Петербург, Россия *Центр исследования и роста кристаллов, 194021 Санкт-Петербург, Россия +Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Росс ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Особенности роста жидкофазных эпитаксиальных слоев карбида кремния ввакууме

Бауман Д.А., Гаврилин А.В., Иванцов В.А., Морозов А.М., Кузнецов Н.И.

Бауман Д.А., Гаврилин А.В., Иванцов В.А., Морозов А.М., Кузнецов Н.И. Особенности роста жидкофазных эпитаксиальных слоев карбида кремния ввакууме // ФТП, 2001, том 35, выпуск 10, Стр. 1184

Аннотация Проведено исследование роста эпитаксиальных слоев 4H-SiC в вакууме методом жидкофазной эпитаксии. Установлена необходимость предварительного нанесения на подложку затравочного слоя с характерными для жидкофазной эпитаксии ступенями роста. Показано, что рост в вакууме приводит к снижению концентрации некомпенсированных носителей Nd--Na до уровня 2· 1016 см-3.