Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2002-00-00 ОрганизацияМосковский государственный институт электронной техники (Технический университет), 103498 Зеленоград, Москва, Россия * ФГУП ГНЦ РФ "Гиредмет", 109017 Москва, Россия &#36; Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (Физический ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Механизм кислородной пассивации пористого кремния врастворах HF : HCl : C2H5OH

Гаврилов С.А., Белогорохов А.И., Белогорохова Л.И.

Гаврилов С.А., Белогорохов А.И., Белогорохова Л.И. Механизм кислородной пассивации пористого кремния врастворах HF : HCl : C2H5OH // ФТП, 2002, том 36, выпуск 1, Стр. 104

Аннотация Изучена проблема стабильности свойств слоев пористого кремния. Представлен термодинамический анализ электрохимических процессов, протекающих при анодном растворенииSi. Предложено новое описание электродной реакции взаимодействия кремния с плавиковой кислотой. Показано, что водородная пассивация поверхности Si определяет равновесный потенциал растворения кремниевого электрода. Проведенные термодинамические расчеты указывают на возможность замещения химически и термически нестабильных поверхностных групп типа SiHx более стабильными кремний-кислородными соединениями непосредственно в процессе формирования пористого Si в электролитах с добавлением сильных галогеноводородных кислот. Полученные результаты позволили с позиций термодинамики объяснить стабилизирующее влияние добавки HCl в электролиты для формирования пористого Si на его химические и физические свойства.