Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2002-00-00 ОрганизацияСанкт-Петербургский государственный электротехнический университет, 197376 Санкт-Петербург, Россия *Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Влияние термообработки наструктуру исвойства пленок a-Si : H, полученных методом циклического осаждения

Афанасьев В.П., Гудовских А.С., Неведомский В.Н., Сазанов А.П., Ситникова А.А., Трапезникова И.Н., Теруков Е.И.

Афанасьев В.П., Гудовских А.С., Неведомский В.Н., Сазанов А.П., Ситникова А.А., Трапезникова И.Н., Теруков Е.И. Влияние термообработки наструктуру исвойства пленок a-Si : H, полученных методом циклического осаждения // ФТП, 2002, том 36, выпуск 2, Стр. 238

Аннотация Исследовано влияние термообработки в вакууме на структуру и свойства пленок аморфного гидрогенизированного кремния (a-Si : H), полученных методом циклического осаждения с использованием промежуточного отжига в водородной плазме. Пленки a-Si : H, осажденные в оптимальных режимах, характеризовались наличием неоднородно распределенной по толщине нанокристаллической фазы, объемная доля которой не превышала1%, и обладали оптической шириной запрещенной зоны Eg=1.85 эВ, энергией активации Ea=0.91 эВ и высокой фоточувствительностью (sigmaph/sigmad~107 при освещенности 100 мВт/см2 в видимой области спектра). Исследования методом просвечивающей электронной микроскопии показали, что термообработка в вакууме приводит в размытию первоначальной слоистой структуры пленок a-Si : H и незначительному росту нанокристаллических включений в матрице аморфной фазы. После термообработки при температуре выше 350oC наблюдаются резкое увеличение темновой проводимости и, как результат, уменьшение фоточувствительности пленок a-Si : H.