Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2002-00-00 ОрганизацияМосковский государственный университет им.М.В.Ломоносова (Физический факультет), 119899 Москва, Россия * Институт физики Национальной академии наук Украины, 252650 Киев, Украина &#36; Технический университет Мюнхена, Физический факультет Е16, D-85748 ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Микроволновая фотопроводимость внанокристаллическом пористом оксиде титана приимпульсном лазерном возбуждении

Константинова Е.А., Тимошенко В.Ю., Кашкаров П.К., Кытин В.Г., Гайворонский В.Я., Porteanu H., Dittrich Th., Koch F.

Константинова Е.А., Тимошенко В.Ю., Кашкаров П.К., Кытин В.Г., Гайворонский В.Я., Porteanu H., Dittrich Th., Koch F. Микроволновая фотопроводимость внанокристаллическом пористом оксиде титана приимпульсном лазерном возбуждении // ФТП, 2002, том 36, выпуск 3, Стр. 338

Аннотация С использованием бесконтактного метода микроволновой фотопроводимости исследованы процессы релаксации фотовозбужденных носителей заряда в нанокристаллическом пористом оксиде титана. Показано, что с уменьшением размера нанокристаллов наблюдается уменьшение амплитуды и изменение времен релаксации микроволновой фотопроводимости, что объясняется локализацией носителей заряда вследствие эффекта диэлектрического ограничения (confinement). Захват дырок ловушками на поверхности нанокристаллов TiO2 приводит к увеличению амплитуды и удлинению времен релаксации микроволновой фотопроводимости.