Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2002-00-00 ОрганизацияБелорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, 22013 Минск, Белоруссия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Зонная структура полупроводниковых соединений Mg2Si иMg2Ge снапряженной кристаллической решеткой

Кривошеева А.В., Холод А.Н., Шапошников В.Л., Кривошеев А.Е., Борисенко В.Е.

Кривошеева А.В., Холод А.Н., Шапошников В.Л., Кривошеев А.Е., Борисенко В.Е. Зонная структура полупроводниковых соединений Mg2Si иMg2Ge снапряженной кристаллической решеткой // ФТП, 2002, том 36, выпуск 5, Стр. 528

Аннотация Теоретическим моделированием с помощью метода линейных присоединенных плоских волн исследовано изменение зонной структуры непрямозонных полупроводников Mg2Si и Mg2Ge при изотропной и одноосной деформации их кристаллических решеток. Обнаружено, что уменьшение постоянной решетки до 95% приводит к линейному увеличению энергетического зазора для прямого перехода в силициде магния на 48%, в то время как величина энергетического зазора для непрямого перехода уменьшается вплоть до перекрытия, характерного для бесщелевых полупроводников. Напряжения, возникающие вследствие одноосных деформаций, не только смещают зоны, но и приводят к расщеплению вырожденных состояний. Изменения величин межзонных переходов в этом случае носят нелинейный характер.