Библиотека » Публикация (база данных scholar.ru)

Поделиться публикацией:
Опубликовать в блог:
Опубликовано 2002-00-00 ОрганизацияИнститут физики микроструктур Российской академии наук, 603950 Нижний Новгород, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"


Управление характером токопереноса вбарьере Шоттки спомощью delta -легирования: расчет иэксперимент дляAl/GaAs
Шашкин В.И., Мурель А.В., Данильцев В.М., Хрыкин О.И.
Шашкин В.И., Мурель А.В., Данильцев В.М., Хрыкин О.И. Управление характером токопереноса вбарьере Шоттки спомощью delta -легирования: расчет иэксперимент дляAl/GaAs // ФТП, 2002, том 36, выпуск 5, Стр. 537
Аннотация Рассматривается возможность управления эффективной высотой барьера в диодах Шоттки при введении delta-легированного слоя вблизи контакта металл--полупроводник. Уменьшение эффективной высоты барьера связано с возрастанием роли туннелирования носителей через барьер. Для барьеров Шоттки кn-GaAs проведен полный квантово-механический численный расчет влияния параметров delta-слоя (концентрации и глубины залегания) на вольт-амперные характеристики модифицированных диодов. Сравнение полученных расчетных результатов с экспериментальными характеристиками диодов, изготовленных методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений, показывает достаточно хорошее согласие. Анализ проведенных исследований позволил выбрать оптимальные параметры delta-слоев для получения низкобарьерных диодов(~ 0.2 эВ) с удовлетворительным коэффициентом неидеальности (n=<q 1.5). На основе таких структур возможно изготовление микроволновых диодов для детектирования без смещения.

Комментарии

Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален