Профиль » Публикация

Аннотация Рассматривается возможность управления эффективной высотой барьера в диодах Шоттки при введении delta-легированного слоя вблизи контакта металл--полупроводник. Уменьшение эффективной высоты барьера связано с возрастанием роли туннелирования носителей через барьер. Для барьеров Шоттки кn-GaAs проведен полный квантово-механический численный расчет влияния параметров delta-слоя (концентрации и глубины залегания) на вольт-амперные характеристики модифицированных диодов. Сравнение полученных расчетных результатов с экспериментальными характеристиками диодов, изготовленных методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений, показывает достаточно хорошее согласие. Анализ проведенных исследований позволил выбрать оптимальные параметры delta-слоев для получения низкобарьерных диодов(~ 0.2 эВ) с удовлетворительным коэффициентом неидеальности (n=<q 1.5). На основе таких структур возможно изготовление микроволновых диодов для детектирования без смещения.