Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2002-00-00 ОрганизацияИнститут физики полупроводников Национальной академии наук Украины, 03028 Киев, Украина ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Влияние состава твердого раствора CdS иGa2S3 на его свойства идефектную структуру

Венгер Е.Ф., Ермолович И.Б., Миленин В.В., Папуша В.П.

Венгер Е.Ф., Ермолович И.Б., Миленин В.В., Папуша В.П. Влияние состава твердого раствора CdS иGa2S3 на его свойства идефектную структуру // ФТП, 2002, том 36, выпуск 7, Стр. 817

Аннотация Изучено влияние избыточного содержания CdS в тиогаллате кадмия на спектр дефектных состояний в его запрещенной зоне. Проведены сравнительные исследования спектров комбинационного рассеяния, фото- и катодолюминесценции, а также кинетики фотопроводимости в исходных кристаллах (типаA) икристаллах, полученных в условиях избыточного содержания CdS (типаB). Установлено, что основными типами дефектовA-кристаллов являются вакансии кадмия и серы, антиструктурные дефекты донорного типа GaCd, а также дефекты IS, обусловленные внедрением атомов газа--транспортера. В кристаллах типаB, наряду с IS основными дефектами являются антиструктурные дефекты акцепторного типа CdGa имежузельные атомы Cdi и Si. Показано, что излучательные характеристики исследованных кристаллов обусловлены ассоциатами указанных дефектов. Впервые обнаружена полоса люминесценции с энергией максимума hnum=0.971 эВ, обусловленная внутрицентровыми переходами в расщепленной врезультате действия кристаллического поля и спин-орбитального взаимодействия d-оболочке кадмия дефекта CdGa в присутствииSi.