Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2002-00-00 ОрганизацияФизический институт им. П.Н.Лебедева Российской академии наук, 119991 Москва, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Излучение редкоземельных центров всистеме ZnTe : (Yb + O)/GaAs

Коннов В.М., Лойко Н.Н., Садофьев Ю.Г., Трушин А.С., Махов Е.И.

Коннов В.М., Лойко Н.Н., Садофьев Ю.Г., Трушин А.С., Махов Е.И. Излучение редкоземельных центров всистеме ZnTe : (Yb + O)/GaAs // ФТП, 2002, том 36, выпуск 11, Стр. 1297

Аннотация Методом молекулярно-пучковой эпитаксии получены слои теллурида цинка, легированные иттербием. Проведены исследования фотолюминесценции. Установлено, что для активации излучения редкоземельных ионов требуется дополнительное легирование кислородом. Определены условия для получения интенсивного излучения ионов Yb3+. Экспериментально измерено штарковское расщепление уровней Yb3+ в кристаллическом поле.