Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2002-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия * Walther Schottky Institut, Technisch Universitat, Munchen, Deutschland + Philipps-Universitat, Marburg, Deutschland # Laboratoire de Genie Electrique de Pa ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Электролюминесценция эрбия вp-i-n-структурах на основе аморфного гидрогенизированного кремния

Теруков Е.И., Гусев О.Б., Коньков О.И., Ундалов Ю.К., Stutzmann M., Janotta A., Mell H., Kleider J.P.

Теруков Е.И., Гусев О.Б., Коньков О.И., Ундалов Ю.К., Stutzmann M., Janotta A., Mell H., Kleider J.P. Электролюминесценция эрбия вp-i-n-структурах на основе аморфного гидрогенизированного кремния // ФТП, 2002, том 36, выпуск 11, Стр. 1323

Аннотация Представлены результаты и проведен сравнительный анализ электролюминесцентных структур на длину волны1.54 мкм на базе аморфного гидрогенизированного кремния. Впервые демонстрируется возможность получения электролюминесценции при комнатной температуре в нормальных p-i-n-структурах на этом материале при прямом включении, что представляет интерес для разработки эффективных излучающих структур с токовой накачкой.