Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2002-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Овлиянии сегрегации на состав твердого раствора GaAs1-xSbx вметоде жидкофазной эпитаксии

Бирюлин Ю.Ф.

Бирюлин Ю.Ф. Овлиянии сегрегации на состав твердого раствора GaAs1-xSbx вметоде жидкофазной эпитаксии // ФТП, 2002, том 36, выпуск 12, Стр. 1409

Аннотация Проведен анализ физических и физико-химических процессов, способных приводить к появлению градиента состава жидкой фазы при эпитаксии пленок твердого раствора GaAs1-xSbx. Показано, что доминирующим механизмом в этом случае является гравитационная ликвация.