Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2003-00-00 ОрганизацияМосковский технический университет связи и информатики, 111024 Москва, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Влияние заряженных дефектов наобнаружение электронного парамагнитного резонанса встеклообразных халькогенидных полупроводниках

Гинзбург Л.П.

Гинзбург Л.П. Влияние заряженных дефектов наобнаружение электронного парамагнитного резонанса встеклообразных халькогенидных полупроводниках // ФТП, 2003, том 37, выпуск 1, Стр. 83

Аннотация На основе рассмотрения электронных процессов, сопровождающих фотовозбуждение зона--зона, установлена связь между концентрацией наведенных спинов и концентрацией врожденных U--центров.