Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2003-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия * Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия ** Air Force Wright Lab., Wright Patterson AFB, OH, USA ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Создание исвойства фоточувствительных структур намонокристаллахZnIn2S4

Вайполин А.А., Николаев Ю.А., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Теруков Е.И., Fernelius N.

Вайполин А.А., Николаев Ю.А., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Теруков Е.И., Fernelius N. Создание исвойства фоточувствительных структур намонокристаллахZnIn2S4 // ФТП, 2003, том 37, выпуск 2, Стр. 187

Аннотация Созданы и исследованы первые фоточувствительные структуры на монокристаллах тройного соединения ZnIn2S4. По результатам измерений спектров оптического поглощения кристалов ZnIn2S4, стационарных ВАХ и фоточувствительности структур при T=300 K анализируются оптоэлектронные свойства соединения и полученных структур. Сделаны выводы о возможностях практического применения поверхностно-барьерных структур и гетеропереходов из ZnIn2S4 в качестве широкополосных фотодетекторов естественного излучения.