Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2003-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Инжекционный ИК лазер (lambda =2.775 мкм) на основе двойной гибридной гетероструктуры AlGaAsSb / InAs / CdMgSe, выращенной методом молекулярно-пучковой эпитаксии

Иванов С.В., Моисеев К.Д., Кайгородов В.А., Соловьев В.А., Сорокин С.В., Мельцер Б.Я., Гребенщикова Е.А., Седова И.В., Терентьев Я.В., Семенов А.Н., Астахова А.П., Михайлова М.П., Торопов А.А., Яковлев Ю.П., Копьев П.С., Алферов Ж.И. Инжекционный ИК лазер (lambda =2.775 мкм) на основе двойной гибридной гетероструктуры AlGaAsSb / InAs / CdMgSe, выращенной методом молекулярно-пучковой эпитаксии // ФТП, 2003, том 37, выпуск 6, Стр. 762

Аннотация Впервые продемонстрирована лазерная генерация всреднем ИК диапазоне при инжекционной накачке (длина волны lambda=2.775 мкм, пороговая плотность тока Jth=3-4 кА / см2 при 77 K) двойной гибридной гетероструктуры p-AlGaAsSb / n0-InAs / n-CdMgSe, выращенной методом двухстадийной молекулярно-пучковой эпитаксии ихарактеризующейся экстремально высокими асимметричными потенциальными барьерами (~ 1.5 эВ) для электронов идырок вInAs активной области. Выходная мощность спонтанного излучения при 300 K составила не менее 0.3 мВт для светодиодов скруглой мезой.