Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2003-00-00 ОрганизацияМосковский институт электронной техники, 124498 Москва, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Спектральная фоточувствительность гетероструктур a-SiGe : H/c-Si

Шерченков А.А.

Шерченков А.А. Спектральная фоточувствительность гетероструктур a-SiGe : H/c-Si // ФТП, 2003, том 37, выпуск 7, Стр. 790

Аннотация Представлены результаты исследования свойств гетеростурктур a-SiGe : H/c-Si, полученных высокоскоростным методом низкочастотного(55 кГц) плазмохимического осаждения. Показано, что пленки a-SiGe : H обладают высокой фоточувствительностью. Положением пика фоточувствительности гетероструктур a-SiGe : H/c-Si можно управлять вдиапазоне от830 до920 нм засчет увеличения содержанияGe иуменьшения ширины запрещенной зоны сплаваa-SiGe : H.